光刻是芯片制程精度**的工序，通風(fēng)系統(tǒng)必須鎖定四項(xiàng)硬性核心參數(shù)，**潔凈等級(jí)，先進(jìn)制程光刻區(qū)要求 ISO1-3 級(jí)，每立方米 0.1μm 顆粒數(shù)量控制在 10 個(gè)以內(nèi)；第二溫濕度，溫度波動(dòng) ±0.1℃、濕度 45±2% RH，溫度偏差會(huì)造成掩膜板與硅片熱脹冷縮，濕度失衡會(huì)引發(fā)光刻膠吸水變質(zhì)、靜電吸附粉塵；第三氣流組織，垂直單向?qū)恿黠L(fēng)速 0.3-0.45m/s，全程無(wú)渦流死角；第四區(qū)域壓差，光刻區(qū)相對(duì)緩沖走廊維持 8-10Pa 正壓，阻隔外部污染空氣反向滲入。通風(fēng)參數(shù)一旦偏離標(biāo)準(zhǔn)，會(huì)批量出現(xiàn)光刻圖形偏移、線條鋸齒、晶圓表面顆粒針孔、柵極靜電擊穿等不良品，高端先進(jìn)制程單批次報(bào)廢損失可達(dá)數(shù)十萬(wàn)。布局上采用吊頂全覆蓋 FFU 送風(fēng)，高架地板下回風(fēng)，光刻設(shè)備配套獨(dú)立微環(huán)境局部排風(fēng)，搭配化學(xué)過(guò)濾器吸附光刻溶劑揮發(fā)有機(jī)分子。
英飛風(fēng)機(jī)配套光刻專用 FFU 驅(qū)動(dòng)風(fēng)機(jī)，低脈動(dòng)輸出保證層流風(fēng)速全程均勻無(wú)波動(dòng)，電機(jī)低熱設(shè)計(jì)不會(huì)干擾局部精密溫控，全密封軸承杜絕潤(rùn)滑油揮發(fā)形成 AMC 污染，整機(jī)運(yùn)行噪音低于 52 分貝，不會(huì)干擾光刻機(jī)光學(xué)組件工作，設(shè)備可聯(lián)動(dòng)溫濕度、粒子傳感器動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)風(fēng)量，壓差、風(fēng)速偏離標(biāo)準(zhǔn)時(shí)自動(dòng)微調(diào)運(yùn)行參數(shù)，全天候守住光刻工序通風(fēng)指標(biāo)，從環(huán)境層面大幅減少光刻不良品產(chǎn)出。
